BS3500K(M)VDSL用超低结电容半导体放电管
通信应用语音电话快速向高速宽频设备度过,传统56K MODEM和ADSL带宽不能满足未来的传输要求,因此VDSL正在逐步被推广和应用。
VDSL的传输速率一般在30Mbps以上,因此对雷击防护器件的结电容提出了更高的要求;同时其变压器的变比由ADSL的4:1变成了VDSL的1:1左右,所以VDSL雷击耦合到次级的能量比ADSL的大了很多,导致后级被保护电路容易损坏。因此就要求前级防护器件具有很快的反应速度即低残压。
传统的半导体放电管因为结电容高已不再适用于电话口保护,而气体放电管的电容虽然低,但其反应速度慢,残压高达800-1000V,不利于二次侧的防护。因此,针对应用越来越广泛的ADSL VDSL防护,推出了一款价格适中,性能优越,雷击能力10/700us 1.5KV以上,同时通过UL497B认证的超低结电容半导体放电管。
一、VDSL端口防护方案
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二、技术参数
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SB3500K(M)是凯泰电子专门为高速接入设备如VDSL等防护开发的一款超低结电容产品,这款产品能够满足ITU-TK20/K21差模雷击基本型1.5KV的测试标准,同时<10pF的结电容也完全可以满足VDSL的传输要求。
| 断态电压 | 转折电压 | 通态压降 | 维持电流 | 极间电容 | |||||
| 型号 | VDRM V |
IDRM υA |
SV V |
IS MA |
VT V |
IT A |
IH MA |
CO pF |
封装形式 |
| MAX | MAX | MAX | MIN | MAX | |||||
| BS3500K | 340 | 5 | 490 | 800 | 4 | 1 | 100 | 10 | DO-41 |
| BS3500M | 340 | 5 | 490 | 800 | 4 | 1 | 100 | 10 | SMA |
三、超低结电容
传统半导体放电管结电容都比较高,如果需要做低结电容的产品,必须采用多芯串联的方式来进行,但这种方式存在工艺复杂,可靠性低及成本高等缺点,一直无法批量生产。
而凯泰电子 推出的超低结电容BS3500K(M),采用了深度层扩散的工艺,大幅度降低单个芯片的结电容到10pF以内,完全可以满足VDSL的应用。
四、雷击能力
传统芯片只能满足ITU-TK20/K21 1.5KV累计测试标准,而低结电容BS3500K(M)不但能把结电容降低到常规产品的40%,而且还大幅度提高耐雷击能力到10/700uS40ohm 2KV。
五、满足电力先接触试验
在ITU-TK20/K21中要求通讯终端设备能过电力线感应试验和电力线碰触试验,其中电力线碰触试验的标准为:
Ua.c=230V;t=1.0~900.0S;
限流电阻r=10,20,40,80,160,300,600,1000欧姆。
为保证在电力线碰触时,半导体放电管不动作,因此所选用半导体放电管的最小断太电压CDRM必须大于Ua。c的峰值电压,即:VDRM>30V*√2=325V而BS3500K(M)为340V,完全可以满足电力线碰触试验的要求。
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