场效应管的主要参数

　　直流参数
　　交流参数
　　极限参数

　　一、开启电压UT

　　开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。

　　二、夹断电压UP

　　夹断电压是耗尽型FET的参数，当UGGS=UP时，漏极电流电流为零。

　　三、饱和漏极电流IDSS

　　耗尽型场效应三极管当UGS=0时所对应的漏极电流。

　　四、直流输入电阻RGS

　　栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比结型场效应三极管，反偏时RGS约大于197Ω绝缘栅场效应三极管RGS约是109~1015Ω

　　五、漏源击穿电压BUDS

　　使ID开始剧增时的UDSо

　　六、栅源击穿电压BUGS

　　JFET:反向饱和电流剧增时的栅源电压
　　MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压

　　1、低频跨导gm

　　低频跨导反映了栅压对漏极电流控制作用

　　gm的求法：

    图解法--gm实际就是转移特性曲线的斜率
    解析法：如增强型MOS管存在ID=K(UGS-UT)2

^{2、衬底跨导g_mb}

      ^{反映出了衬底偏置电压对漏极电流ID的控制作用}

^{3、漏极电阻r_ds}

_{^{反映了UDS对ID的影响，实际上是输出特性上工作点切线上的斜率}}

_{^{4、导通电阻R}on}

_{^{5、极间电容}}

_{^{主要的极间电容有}}

_{^{Cgs——栅极与源极间电容
　　Cgd——栅极与漏极间电容
　　Cgb——栅极与衬底间电容
　　Csd——源极与漏极间电容
　　Cab——源极与衬底间电容
　　Cdb——漏极与衬底间电容}}